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DK5V150R25M
深圳市芯华超电子科技有限公司
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公司官网: http://www.xhcicled.com/
所在地区:广东省 深圳市
主营产品: DK5V45R10、德普富满士兰微、DK5V45R15、微盟兴晶泰晶源微、DK1203、DK125、DK106
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基本参数
品牌 | 东科 | 型号 | DK5V150R25M |
规格 | 20-24V/3A/4A | 封装 | SM-10 |
产地 | 广东 | 执行质量标准 | 国标 |
贸易属性 | 内贸 | 发货期限 | 3天 |
销售方式 | 品牌经销 | 认证 | CEE |
打样周期 | 1-2天 | 售后服务 | 全国联保 |
DK5V150R25M 是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统 肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。 1. 启动 芯片内置储能电容和自供电线路,可以实现芯片和 NMOS 管驱动需求,无需外接电源。当 K 极 电压高于 A 极时,通过自供电线路,给内置 VCC 电容充电,VCC 电压逐渐上升。在 VCC 电压低于启 动电压 VCC_ON 时,内置 NMOS 管关闭,当 VCC 电压大于 VCC_ON 时,芯片内部控制电路开始工作, 启动完成。当 VCC 电压降低到欠压保护阈值 VCC_OFF 以下时,芯片重启。
2. NMOS 控制 当检测到 A、K 端正向导通电压大于开通电压 VON 时,则打开 NMOS 管;芯片实时检测 K 点电 压变化,依据 K 点电压变化,判断系统工作模式。在 CCM 模式时,通过智能算法算出当前周期 NMOS 管开通时间 TON,当 NMOS 管开通时间达到 TON,关闭 NMOS 管。在非 CCM 模式时,当检测到流 过功率 MOS 管的电流逐渐减小到 0 时,则关闭功率 MOS 管。 3. RC 吸收电路 在启动、输出短路、输入电压过高,CCM 模式等容易在二极管体产生尖峰电压,为防止内置 NMOS 管过压击穿,可以在 A 和 K 之间接入 RC 吸收电路,以减小 K 点的尖峰电压。 4. NMOS 导通内阻 由于 NMOS 管的本身存在的特性。在工作过程中,随着温度升高,内阻值会增大,效率会降低。 可适当的增加散热面积,降低 IC 的工作温度。 5. 注意事项 ? 应用中需要测量同步芯片的耐压,确保同步整流芯片工作最高电压低于同步芯片 NMOS 源 漏耐压; ? 应用中需要测量同步芯片的温度,评估产品工作环境最高温度下是否超过工作结温。
DK5V150R25M
深圳市芯华超电子科技有限公司
联系人:
王祥南
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公司地址:
深圳市宝安区西乡街道园艺园工业区23栋3楼
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