深圳市芯华超电子科技有限公司
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DK5V45R10同步整流

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基本参数

品牌 东科 型号 DK5V45R10
规格 DK5V45R10 封装 SOP8
产地 广东 执行质量标准 国标
贸易属性 内贸 发货期限 3天
销售方式 网络销售 认证 CEE
打样周期 1-2天 售后服务 全国联保

DK5V45R10 是一款简单高效率的同步整流芯片,只有 A,K 两个引脚,分别对 应肖特基二极管的 A,K 引脚。芯片内部集成了 45V 功率 NMOS 管,可以大幅 降低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基 整流二极管。 产品特点l 支持 DCM 和 QR 模式反激系统。 l 内置 10 mΩ 45V 功率 NMOS 管。 l 特有的自供电技术,无需外部供电电源。 l 自检测开通关断,无需外部同步信号。 l 可直接替换肖特基管,对 EMC/I 有适当改善。

DK5V45R10 内置储能电容和自供电线路,可以实现芯片和功率 MOS 管驱动需求,无需外 接电源。 启动 当 K 极电压高于 A 极时,通过自供电线路,给 VCC 供电,VCC 电压逐渐上升。在 VCC 电 压低于启动电压 VCC_on 时,内置功率 MOS 管关闭,当 VCC 电压大于 VCC_on 时,结束启动状 态。当 VCC 电压降低到复位电压 VCC_uvlo 以下时,芯片重新进入启动状态。 功率 MOS 控制 当检测到 A、K 端正向导通电压大于开通电压 Von 时,则打开功率 MOS 管;当检测到流 过功率 MOS 管的电流逐渐减小到 0 时,即 A、K 端正向导通电压为零时,则关闭功率 MOS 管。 RC 吸收电路 在启动、输出短路、输入电压过高,CCM 模式等容易在二极管体产生尖峰电压,为防止 内置功率 MOS 管过压击穿,可以在 A 和 K 之间接入 RC 吸收电路,以减小 N 点的尖峰电压。 导通内阻在工作过程中,随着温度升高,内阻值会增大,效率会降低,适当的增加散热面积,降 低 IC 的工作温度。DK5V45R10 

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