深圳市芯华超电子科技有限公司
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DK5V45R25

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基本参数

品牌 东科 型号 DK5V45R25
规格 5V2A 封装 SM7
产地 广东 执行质量标准 国标
贸易属性 内贸 发货期限 3天
销售方式 品牌经销 认证 CEE
打样周期 1-2天 售后服务 全国联保

DK5V45R25是一款简单高效率的同步整流 芯片,只有A,K两个引脚,分别对应肖特基二 极管PN管脚。芯片内部集成了45V功率 NMOS 管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高整机效 率,取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二 极管。 DK5V45R25采用SM-7封装(兼容TO-277封 装)。 主要特点 ? 适用于反激 PSR 应用 ? 超低 VF ? 超低温升 ? 集成 45V 25mΩ功率 NMOS ? 可工作于 DCM&QR 模式 ? 自供电技术,无需外围供电 ? 智能检测系统,无需前端同步信号 ? 对 EMI/C 有适当改善 ? 可以直接替换肖特基二极管 ? 无需任何外围.

DK5V45R25 是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖 特基二极管的导通损耗,提高整机效率。 1. 启动 芯片内置储能电容和自供电线路,可以实现芯片和功率 MOS 管驱动需求,无需外接电源。当 K 极电压高于 A 极时,通过自供电线路,给 Vcc 供电,Vcc 电压逐渐上升。在 Vcc 电压低于启动电压 Vcc_on 时,内置功率 MOS 管关闭,当 Vcc 电压大于 Vcc_on 时,结束启动状态。当 Vcc 电压降低到 复位电压 Vcc_off 以下时,芯片重新进入启动状态。 2. NMOS 控制 当检测到 A、 K 端正向导通电压大于开通电压 Von 时,则打开功率 MOS 管;当检测到流过 功率 MOS 管的电流逐渐减小到 0 时,即 A、 K 端正向导通电压为零时,则关闭功率 MOS 管。 3. RC 吸收电路 为防止内置 NMOS 管过压击穿,可以在 A 和 K 之间接入 RC 吸收电路,以减小 N 点的尖峰电压。 4. NMOS 导通内阻 由于 NMOS 管的本身存在的特性。在工作过程中,随着温度升高,内阻值会增大,效率会降低。 可适当的增加散热面积,降低 IC 的工作温度。 5. 注意事项 ? 应用中需要测量同步芯片的耐压,确保同步整流芯片工作最高电压低于同步芯片 NMOS 源 漏耐压; ? 应用中需要测量同步芯片的温度,评估产品工作环境最高温度下是否超过工作结温。 ? 不能使用在 CCM 模式下。如需使用在 CCM 模式下,请选择东科 DK5V45R25C 或者 DK5V45R25S。

DK5V45R25

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