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科研实验专用硅靶材Si碳化硅靶材SiC磁控溅射靶材

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基本参数

硅含量 0.9999 产地 北京
品名 用途 磁控溅射靶材
杂质含量 0.001

科研实验专用硅靶材Si碳化硅靶材SiC磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

   硅是地球上储藏丰富的材料之一,熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。单晶硅主要用于制作半导体元件。

产品参数

中文名 硅                    元素符号 Si

原子量 28.0855            原子序数 14

沸点 2900℃               熔点 1414℃

密度 2.33g/cm3

产品介绍

      碳化硅(SiC)化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好。有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种,都属α-SiC。①黑碳化硅含SiC约95%,其韧性高于绿碳化硅,大多用于加工抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。②绿碳化硅含SiC约97%以上,自锐性好,大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃,也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。

产品参数

中文名碳化硅          化学式SiC

分子量40.1            熔点 1723±5℃

密度 3.2g/cm3

支持靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!! 

服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款,质量保证,售后无忧!

产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装

交货周期:现货当天发,常规期货4周内

适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 

质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。 

加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

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